华南师范大学学报(自然科学版)
華南師範大學學報(自然科學版)
화남사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2003年
3期
60-63
,共4页
陈练辉%范广涵%陈贵楚%吴文光%李华兵
陳練輝%範廣涵%陳貴楚%吳文光%李華兵
진련휘%범엄함%진귀초%오문광%리화병
发光二极管(LED)%GaInP/(AlxGa1-x)InP%多量子阱%光荧光
髮光二極管(LED)%GaInP/(AlxGa1-x)InP%多量子阱%光熒光
발광이겁관(LED)%GaInP/(AlxGa1-x)InP%다양자정%광형광
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ＝647.8 nm和λ＝861.6 nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰. 理论计算和实测结果基本一致.
利用金屬有機化閤物氣相沉積(MOCVD)技術生長瞭GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)結構材料,對其進行光熒光特性測量,觀察到在波長λ＝647.8 nm和λ＝861.6 nm處分彆存在一箇彊髮光鋒和一箇弱髮光峰. 理論計算和實測結果基本一緻.
이용금속유궤화합물기상침적(MOCVD)기술생장료GaInP/(AlxGa1-x)InP다양자정(MQW)결구재료,대기진행광형광특성측량,관찰도재파장λ＝647.8 nm화λ＝861.6 nm처분별존재일개강발광봉화일개약발광봉. 이론계산화실측결과기본일치.
