微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
3期
326-329
,共4页
周秀兰%肖坤光%王永禄%周述涛%张正璠
週秀蘭%肖坤光%王永祿%週述濤%張正璠
주수란%초곤광%왕영록%주술도%장정번
采样保持电路%双路双差分%A/D转换器%D/A转换器
採樣保持電路%雙路雙差分%A/D轉換器%D/A轉換器
채양보지전로%쌍로쌍차분%A/D전환기%D/A전환기
介绍了一种采用0.35 μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路.该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS.该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求.经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为 Vp-p＝1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA.样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB.
介紹瞭一種採用0.35 μm BiCMOS工藝的雙路雙差分採樣保持電路.該電路分辨率為8位,採樣率達到250 MSPS.該電路新穎的特點為利用交替工作方式,降低瞭電路對速度的要求.經過電路模擬倣真,在250 MSPS,輸入信號為 Vp-p＝1 V,電源電壓3.3 V時,信譟比(SNR)為55.8 dB,積分線性誤差(INL)和微分線性誤差(DNL)均小于8位A/D轉換器的±0.2 LSB,電源電流為28 mA.樣品測試結果:SNR為47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D轉換器的±0.8 LSB.
개소료일충채용0.35 μm BiCMOS공예적쌍로쌍차분채양보지전로.해전로분변솔위8위,채양솔체도250 MSPS.해전로신영적특점위이용교체공작방식,강저료전로대속도적요구.경과전로모의방진,재250 MSPS,수입신호위 Vp-p＝1 V,전원전압3.3 V시,신조비(SNR)위55.8 dB,적분선성오차(INL)화미분선성오차(DNL)균소우8위A/D전환기적±0.2 LSB,전원전류위28 mA.양품측시결과:SNR위47.6 dB,INL、DNL소우8위A/D전환기적±0.8 LSB.
