光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2008年
3期
585-588
,共4页
李盼来%郭庆林%李红莲%王志军%张金平%梁宝来%庞立斌
李盼來%郭慶林%李紅蓮%王誌軍%張金平%樑寶來%龐立斌
리반래%곽경림%리홍련%왕지군%장금평%량보래%방립빈
Ce:KNSBN晶体%两波耦合%光扇效应%入射光调制
Ce:KNSBN晶體%兩波耦閤%光扇效應%入射光調製
Ce:KNSBN정체%량파우합%광선효응%입사광조제
研究了入射光调制条件下Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150 Hz;同一Ip/Is下,Io为57 mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175 Hz.
研究瞭入射光調製條件下Ce:KNSBN晶體兩波耦閤動態過程.結果錶明,入射光調製抑製瞭光扇譟音對Ce:KNSBN晶體兩波耦閤動態過程的影響,提高瞭透射信號光彊度.同時研究瞭入射光光彊比Ip/Is及入射光總光彊Io對最佳調製頻率及增益改善Gm/Gf的影響.結果顯示,同一Io下,Ip/Is為100時,Gm/Gf到達峰值1.52,對應的最佳調製頻率為150 Hz;同一Ip/Is下,Io為57 mW/cm2時,Gm/Gf最大為1.53,對應的最佳調製頻率為175 Hz.
연구료입사광조제조건하Ce:KNSBN정체량파우합동태과정.결과표명,입사광조제억제료광선조음대Ce:KNSBN정체량파우합동태과정적영향,제고료투사신호광강도.동시연구료입사광광강비Ip/Is급입사광총광강Io대최가조제빈솔급증익개선Gm/Gf적영향.결과현시,동일Io하,Ip/Is위100시,Gm/Gf도체봉치1.52,대응적최가조제빈솔위150 Hz;동일Ip/Is하,Io위57 mW/cm2시,Gm/Gf최대위1.53,대응적최가조제빈솔위175 Hz.
