电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2010年
11期
10-13
,共4页
VB-GaAs单晶%掺杂剂%浓度
VB-GaAs單晶%摻雜劑%濃度
VB-GaAs단정%참잡제%농도
低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的.本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式.按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度.
低阻GaAs單晶的穫得,一般是通過摻入摻雜劑Si來實現的.本文分析瞭VB-GaAs單晶的摻Si機理及作用,併在理論摻雜公式的基礎上,通過實驗和理論分析,確定瞭摻雜劑量的經驗關繫式.按此公式,在VB-GaAs單晶中得到瞭理想的摻Si濃度.
저조GaAs단정적획득,일반시통과참입참잡제Si래실현적.본문분석료VB-GaAs단정적참Si궤리급작용,병재이론참잡공식적기출상,통과실험화이론분석,학정료참잡제량적경험관계식.안차공식,재VB-GaAs단정중득도료이상적참Si농도.
