电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2011年
4期
469-472
,共4页
邹建新%孙海全%曾小勤%丁文江%常建卫
鄒建新%孫海全%曾小勤%丁文江%常建衛
추건신%손해전%증소근%정문강%상건위
磁控溅射%薄膜%镁%择优生长
磁控濺射%薄膜%鎂%擇優生長
자공천사%박막%미%택우생장
镁基储氢材料是非常具有应用前景的一类储氢材料,具有储氢量大、环境友好、成本低等优点.采用磁控溅射法在单晶Si和非晶玻璃基底上沉积了纳米纯Mg薄膜.通过改变沉积速率,获得了不同生长形态和形貌的镁薄膜.采用X射线衍射光谱法(XRD)和扫描电子显微镜法(SEM)研究了Mg薄膜在不同基片和沉积速率下的生长模式.研究结果表明:改变沉积速率可以影响纯Mg薄膜的择优生长形态和形貌,即功率增加时,薄膜由〈101〉向择优生长转变为〈002〉+〈103〉向择优生长,晶粒尺寸变大,但仍按柱状晶方式生长;基片的类型对择优生长方向影响不大,对生长形貌有一定影响.
鎂基儲氫材料是非常具有應用前景的一類儲氫材料,具有儲氫量大、環境友好、成本低等優點.採用磁控濺射法在單晶Si和非晶玻璃基底上沉積瞭納米純Mg薄膜.通過改變沉積速率,穫得瞭不同生長形態和形貌的鎂薄膜.採用X射線衍射光譜法(XRD)和掃描電子顯微鏡法(SEM)研究瞭Mg薄膜在不同基片和沉積速率下的生長模式.研究結果錶明:改變沉積速率可以影響純Mg薄膜的擇優生長形態和形貌,即功率增加時,薄膜由〈101〉嚮擇優生長轉變為〈002〉+〈103〉嚮擇優生長,晶粒呎吋變大,但仍按柱狀晶方式生長;基片的類型對擇優生長方嚮影響不大,對生長形貌有一定影響.
미기저경재료시비상구유응용전경적일류저경재료,구유저경량대、배경우호、성본저등우점.채용자공천사법재단정Si화비정파리기저상침적료납미순Mg박막.통과개변침적속솔,획득료불동생장형태화형모적미박막.채용X사선연사광보법(XRD)화소묘전자현미경법(SEM)연구료Mg박막재불동기편화침적속솔하적생장모식.연구결과표명:개변침적속솔가이영향순Mg박막적택우생장형태화형모,즉공솔증가시,박막유〈101〉향택우생장전변위〈002〉+〈103〉향택우생장,정립척촌변대,단잉안주상정방식생장;기편적류형대택우생장방향영향불대,대생장형모유일정영향.
