微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2001年
3期
192-194
,共3页
李竞春%杨沛峰%杨谟华%谭开洲%何林%郑娥
李競春%楊沛峰%楊謨華%譚開洲%何林%鄭娥
리경춘%양패봉%양모화%담개주%하림%정아
SiO2栅介质薄膜%SiGe器件%MOSFET%PECVD
SiO2柵介質薄膜%SiGe器件%MOSFET%PECVD
SiO2책개질박막%SiGe기건%MOSFET%PECVD
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研究.实验表明,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.该技术用于SiGe PMOS研制,在300K常温和77 K低温下,其跨导分别达到45 mS/mm和92.5 mS/mm(W/L＝20μm/2μm).
為瞭穫得電學性能良好的SiGe PMOS SiO2柵介質薄膜,採用等離子體增彊化學汽相澱積(PECVD)工藝,對低溫300℃下薄膜製備技術進行瞭研究.實驗錶明,採用適噹高溫、短時間對PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正電荷密度和界麵態密度.該技術用于SiGe PMOS研製,在300K常溫和77 K低溫下,其跨導分彆達到45 mS/mm和92.5 mS/mm(W/L＝20μm/2μm).
위료획득전학성능량호적SiGe PMOS SiO2책개질박막,채용등리자체증강화학기상정적(PECVD)공예,대저온300℃하박막제비기술진행료연구.실험표명,채용괄당고온、단시간대PECVD박막퇴화유조우강저박막중정전하밀도화계면태밀도.해기술용우SiGe PMOS연제,재300K상온화77 K저온하,기과도분별체도45 mS/mm화92.5 mS/mm(W/L＝20μm/2μm).
