6H-SiC晶片的退火处理
6H-SiC정편적퇴화처리
Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 5期 949-952 ,共4页

    姜守振%李娟%陈秀芳%王英民%宁丽娜%于光伟%胡小波%徐现刚%王继杨%蒋民华

    강수진%리연%진수방%왕영민%저려나%우광위%호소파%서현강%왕계양%장민화

    升华法%SiC%退火 升華法%SiC%退火
    승화법%SiC%퇴화
    本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.
    본문재배경Ar기압력위8×104Pa、온도위1800～2000℃적조건하,대승화법생장SiC단정적자정진행료원위퇴화처리,이용원자력현미경화광학현미경대퇴화후적6H-SiC정편표면진행료관찰,연구료퇴화온도화시간대정편표면적영향.발현경과퇴화처리후적자정표면존재규칙적생장태계,유조우측면생장모식적발전,진일보유조우태계류생장모식적발전.통과대자정적퇴화처리,강저료라선생장중심적밀도,종이감소다형협잡、소각도정계화미관등결함적출현,제고료정체질량.
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