物理学报
物理學報
물이학보
2008年
4期
2548-2553
,共6页
GaN%肖特基结构%紫外探测器%暗电流
GaN%肖特基結構%紫外探測器%暗電流
GaN%초특기결구%자외탐측기%암전류
提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.
提齣瞭一種減小GaN肖特基結構紫外探測器暗電流的方法.該方法是在普通的GaN肖特基結構的錶麵增加一層薄的p-GaN.模擬計算結果錶明,該層p-GaN能增加肖特基勢壘高度,從而減小瞭器件的暗電流,提高瞭器件性能.進一步的計算還髮現,對于P型載流子濃度較高的情況下,隻需要很薄的一層p-GaN就能顯著增加肖特基勢壘高度,對于P型載流子濃度較低的情況下,則需要較厚的一層p-GaN纔能有較好的肖特基勢壘高度增加效果.
제출료일충감소GaN초특기결구자외탐측기암전류적방법.해방법시재보통적GaN초특기결구적표면증가일층박적p-GaN.모의계산결과표명,해층p-GaN능증가초특기세루고도,종이감소료기건적암전류,제고료기건성능.진일보적계산환발현,대우P형재류자농도교고적정황하,지수요흔박적일층p-GaN취능현저증가초특기세루고도,대우P형재류자농도교저적정황하,칙수요교후적일층p-GaN재능유교호적초특기세루고도증가효과.
