物理学报
物理學報
물이학보
2008年
4期
2524-2528
,共5页
超薄栅氧化层%斜坡电压%经时击穿
超薄柵氧化層%斜坡電壓%經時擊穿
초박책양화층%사파전압%경시격천
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电子很少,同时低电平应力时间内一部分电荷退陷,形成的中性电子陷阱更少.随着应力时间的累积,中性电子陷阱达到某个临界值,栅氧化层突然击穿.高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电荷退陷,使得器件的寿命提高.
實驗髮現動態電壓應力條件下,由于柵氧化層很薄,高電平應力時間內隧穿入氧化層的電子與陷落在氧化層中的空穴複閤產生中性電子陷阱,中性電子陷阱輔助電子隧穿.由于每箇週期的高電平時間較短(遠遠低于電荷的複閤時間),隧穿到氧化層的電子很少,同時低電平應力時間內一部分電荷退陷,形成的中性電子陷阱更少.隨著應力時間的纍積,中性電子陷阱達到某箇臨界值,柵氧化層突然擊穿.高電平時形成的陷阱較少和低電平時一部分電荷退陷,使得器件的壽命提高.
실험발현동태전압응력조건하,유우책양화층흔박,고전평응력시간내수천입양화층적전자여함락재양화층중적공혈복합산생중성전자함정,중성전자함정보조전자수천.유우매개주기적고전평시간교단(원원저우전하적복합시간),수천도양화층적전자흔소,동시저전평응력시간내일부분전하퇴함,형성적중성전자함정경소.수착응력시간적루적,중성전자함정체도모개림계치,책양화층돌연격천.고전평시형성적함정교소화저전평시일부분전하퇴함,사득기건적수명제고.
