真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
1期
61-67
,共7页
谷建东%李东明%冯志庆%牛金海%刘东平
穀建東%李東明%馮誌慶%牛金海%劉東平
곡건동%리동명%풍지경%우금해%류동평
氟化非晶碳薄膜%沉积机理%原子力显微镜%发射光谱
氟化非晶碳薄膜%沉積機理%原子力顯微鏡%髮射光譜
불화비정탄박막%침적궤리%원자력현미경%발사광보
本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征.研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响.在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小.而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高.增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小.本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究.结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少.结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨.
本文使用CH2F2為源氣體,利用電感耦閤等離子體增彊化學氣相沉積(ICP-CVD)法在不同放電模式(連續或脈遲)、沉積氣壓、射頻功率和位置下製備瞭a-C∶F薄膜.用原子力顯微鏡(AFM)觀察瞭薄膜的錶麵形貌,通過FTIR、XPS對其結構進行瞭錶徵.研究結果錶明:放電模式、放電氣壓、射頻功率、基底位置均對薄膜的錶麵粗糙度(RMS)和組成具有重要的影響.在脈遲波模式下,增加放電氣壓,薄膜RMS值的變化呈現齣先降低後升高的變化趨勢;基底距離線圈的距離越遠,所沉積薄膜的RMS值越小.而在連續波模式下,距離線圈較遠的B、C位置薄膜的RMS值卻相對較高.增加放電功率導緻沉積薄膜的RMS值較小.本文也對CH2F2等離子體進行瞭髮射光譜(OES)診斷研究.結果錶明,對比脈遲波模式,連續波放電時等離子體中含碳物種明顯減少.結閤錶徵結果和OES結果對薄膜的生長機理進行瞭探討.
본문사용CH2F2위원기체,이용전감우합등리자체증강화학기상침적(ICP-CVD)법재불동방전모식(련속혹맥충)、침적기압、사빈공솔화위치하제비료a-C∶F박막.용원자력현미경(AFM)관찰료박막적표면형모,통과FTIR、XPS대기결구진행료표정.연구결과표명:방전모식、방전기압、사빈공솔、기저위치균대박막적표면조조도(RMS)화조성구유중요적영향.재맥충파모식하,증가방전기압,박막RMS치적변화정현출선강저후승고적변화추세;기저거리선권적거리월원,소침적박막적RMS치월소.이재련속파모식하,거리선권교원적B、C위치박막적RMS치각상대교고.증가방전공솔도치침적박막적RMS치교소.본문야대CH2F2등리자체진행료발사광보(OES)진단연구.결과표명,대비맥충파모식,련속파방전시등리자체중함탄물충명현감소.결합표정결과화OES결과대박막적생장궤리진행료탐토.