真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
5期
641-645
,共5页
李春雷%庄大明%张弓%刘江%宋军
李春雷%莊大明%張弓%劉江%宋軍
리춘뢰%장대명%장궁%류강%송군
太阳能电池%铜铟镓硒%两步法%预制膜硒化%背电极富集
太暘能電池%銅銦鎵硒%兩步法%預製膜硒化%揹電極富集
태양능전지%동인가서%량보법%예제막서화%배전겁부집
采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分.研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象.富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量.结合Zhang等对CuInS2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2Vcu- Gac缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象.
採用預製膜硒化兩步法製備CIGSe薄膜,採用X射線衍射方法分析薄膜的結構,採用熒光光譜分析和俄歇電子能譜分析方法檢測分析薄膜的成分.研究結果錶明CIGSe薄膜中Ga元素以置換原子的形式存在于CuInSe2相中,併且Ga具有揹電極富集現象.富集現象弱化瞭Ga元素對禁帶寬度的提高作用,併且由于薄膜揹電極側Ga含量過高導緻揹電極處缺陷濃度增加,從而降低瞭CIGSe薄膜的質量.結閤Zhang等對CuInS2和CuGaSe2中缺陷對生成能的理論計算,本文認為較高的2Vcu- Gac缺陷對形成能造成瞭Ga元素的揹電極富集現象.
채용예제막서화량보법제비CIGSe박막,채용X사선연사방법분석박막적결구,채용형광광보분석화아헐전자능보분석방법검측분석박막적성분.연구결과표명CIGSe박막중Ga원소이치환원자적형식존재우CuInSe2상중,병차Ga구유배전겁부집현상.부집현상약화료Ga원소대금대관도적제고작용,병차유우박막배전겁측Ga함량과고도치배전겁처결함농도증가,종이강저료CIGSe박막적질량.결합Zhang등대CuInS2화CuGaSe2중결함대생성능적이론계산,본문인위교고적2Vcu- Gac결함대형성능조성료Ga원소적배전겁부집현상.
