真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2012年
4期
16-20
,共5页
刘慧卿%程建%黄亦工%刘征
劉慧卿%程建%黃亦工%劉徵
류혜경%정건%황역공%류정
热处理温度%陶瓷%金属%焊料
熱處理溫度%陶瓷%金屬%銲料
열처리온도%도자%금속%한료
通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后,分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接.随着热处理温度的提高,发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变.综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃.
通過對陶瓷電鍍件進行不同溫度的熱處理後,分彆用Cu、Ag和AgCu28銲料與可伐和無氧銅封接.隨著熱處理溫度的提高,髮現某些封接件的封接彊度及封接界麵的顯微結構髮生瞭改變.綜閤各種因素後提齣熱處理溫度不能超過850℃.
통과대도자전도건진행불동온도적열처리후,분별용Cu、Ag화AgCu28한료여가벌화무양동봉접.수착열처리온도적제고,발현모사봉접건적봉접강도급봉접계면적현미결구발생료개변.종합각충인소후제출열처리온도불능초과850℃.
