半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2003年
5期
321-323
,共3页
赵志勇%于永森%卓仲畅%张健%郑伟%张玉书
趙誌勇%于永森%卓仲暢%張健%鄭偉%張玉書
조지용%우영삼%탁중창%장건%정위%장옥서
B-Ge光纤%Bragg光栅%紫外曝光
B-Ge光纖%Bragg光柵%紫外曝光
B-Ge광섬%Bragg광책%자외폭광
制作了基于B-Ge光纤的Bragg光栅,并且提出对光栅进行紫外曝光修整的处理方法.这种方法对光栅的中心波长、光谱形状、边模抑制比具有较好的永久性的修整作用.另外,对B-Ge光纤的光敏机理和光栅紫外曝光修整机理做了初步研究.
製作瞭基于B-Ge光纖的Bragg光柵,併且提齣對光柵進行紫外曝光脩整的處理方法.這種方法對光柵的中心波長、光譜形狀、邊模抑製比具有較好的永久性的脩整作用.另外,對B-Ge光纖的光敏機理和光柵紫外曝光脩整機理做瞭初步研究.
제작료기우B-Ge광섬적Bragg광책,병차제출대광책진행자외폭광수정적처리방법.저충방법대광책적중심파장、광보형상、변모억제비구유교호적영구성적수정작용.령외,대B-Ge광섬적광민궤리화광책자외폭광수정궤리주료초보연구.
