半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1330-1333
,共4页
钟声%徐小秋%孙利杰%林碧霞%傅竹西
鐘聲%徐小鞦%孫利傑%林碧霞%傅竹西
종성%서소추%손리걸%림벽하%부죽서
热氧化%ZnO%XPS%受主能级
熱氧化%ZnO%XPS%受主能級
열양화%ZnO%XPS%수주능급
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为Zn0:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与N.受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的N.受主能级位置.
採用Zn3N2熱氧化法在直流磁控濺射設備上製備瞭摻氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究瞭不同退火溫度對樣品結構和光電特性的影響.X射線衍射譜(XRD)結果錶明,Zn3N2在600℃以上退火即可轉變為Zn0:N薄膜.X射線光電子能譜(XPS)髮現,在熱氧化法製備的ZnO:N薄膜中,存在兩種與N相關的結構,分彆是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),這兩種結構分彆于不同的退火溫度下存在,併且700℃下退火的樣品在理論上具有最高的空穴濃度,這一點也由霍爾測量結果得到證實.同時,從低溫PL光譜中觀察到瞭與N.受主有關的導帶到受主(FA)和施主-受主對(DAP)的躍遷,併由此計算齣熱氧化法製備的ZnO:N薄膜中的N.受主能級位置.
채용Zn3N2열양화법재직류자공천사설비상제비료참담Zn0박막(ZnO:N),연구료불동퇴화온도대양품결구화광전특성적영향.X사선연사보(XRD)결과표명,Zn3N2재600℃이상퇴화즉가전변위Zn0:N박막.X사선광전자능보(XPS)발현,재열양화법제비적ZnO:N박막중,존재량충여N상관적결구,분별시N원자체대O(수주)화N2분자체대O(시주),저량충결구분별우불동적퇴화온도하존재,병차700℃하퇴화적양품재이론상구유최고적공혈농도,저일점야유곽이측량결과득도증실.동시,종저온PL광보중관찰도료여N.수주유관적도대도수주(FA)화시주-수주대(DAP)적약천,병유차계산출열양화법제비적ZnO:N박막중적N.수주능급위치.
