人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
927-930
,共4页
蔡宏琨%张德贤%冯凯%齐龙茵%王雅欣%孙云
蔡宏琨%張德賢%馮凱%齊龍茵%王雅訢%孫雲
채굉곤%장덕현%풍개%제룡인%왕아흔%손운
太阳电池%微晶硅%非晶硅
太暘電池%微晶硅%非晶硅
태양전지%미정규%비정규
本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.
本文討論瞭P型微晶硅薄膜性能隨硅烷濃度(SC)的變化.採用X射線衍射儀(XRD),拉曼光譜儀和傅立葉變換紅外吸收光譜儀(FTIR)對薄膜的結構進行瞭錶徵.隨硅烷濃度的增加,微晶硅薄膜材料的生長速率和暗電導率(σd)逐漸增大,光學帶隙逐漸降低.噹硅烷濃度為2.0%時,硅基薄膜材料是以非晶硅為主併有散落的微晶硅顆粒的非晶硅結構.噹硅烷濃度為1.5%時,硼的摻雜效率最大,同時可觀察到硼抑製薄膜晶化的現象.
본문토론료P형미정규박막성능수규완농도(SC)적변화.채용X사선연사의(XRD),랍만광보의화부립협변환홍외흡수광보의(FTIR)대박막적결구진행료표정.수규완농도적증가,미정규박막재료적생장속솔화암전도솔(σd)축점증대,광학대극축점강저.당규완농도위2.0%시,규기박막재료시이비정규위주병유산락적미정규과립적비정규결구.당규완농도위1.5%시,붕적참잡효솔최대,동시가관찰도붕억제박막정화적현상.
