兵器材料科学与工程
兵器材料科學與工程
병기재료과학여공정
Ordnance Material Science and Engineering
2009年
3期
72-74
,共3页
表面应力%SOI晶片%厚膜%界面
錶麵應力%SOI晶片%厚膜%界麵
표면응력%SOI정편%후막%계면
利用改进的BGSOI工艺成功制备低表面应力的厚膜SOI晶片,并表征晶片的显微结构、界面和表面应力.研究结果显示:晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5 μm,SiO2埋层厚度为0.865 μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54 J/m2;表面应力小于12.6 MPa,已成功制作出微加速度计.
利用改進的BGSOI工藝成功製備低錶麵應力的厚膜SOI晶片,併錶徵晶片的顯微結構、界麵和錶麵應力.研究結果顯示:晶片的各層區域分明,界麵平整,上層硅厚度為76.5 μm,SiO2埋層厚度為0.865 μm;晶片鍵閤良好,有效鍵閤麵積大于95%,鍵閤彊度大于13.54 J/m2;錶麵應力小于12.6 MPa,已成功製作齣微加速度計.
이용개진적BGSOI공예성공제비저표면응력적후막SOI정편,병표정정편적현미결구、계면화표면응력.연구결과현시:정편적각층구역분명,계면평정,상층규후도위76.5 μm,SiO2매층후도위0.865 μm;정편건합량호,유효건합면적대우95%,건합강도대우13.54 J/m2;표면응력소우12.6 MPa,이성공제작출미가속도계.
