基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件
기우MBE적fmax위157GHz적SiGeHBT기건
SiGe HBT with fmax of 157GHz Based on MBE
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 3期 528-531 ,共4页

    刘道广%郝跃%徐世六%李开成%刘玉奎%何开全%刘嵘侃%张静%刘伦才%徐婉静%李荣强%陈光炳%徐学良

    류도엄%학약%서세륙%리개성%류옥규%하개전%류영간%장정%류륜재%서완정%리영강%진광병%서학량

    自对准%空气桥%SiGe合金材料 自對準%空氣橋%SiGe閤金材料
    자대준%공기교%SiGe합금재료
    在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件.
    재모의집성전로적응용중,불부주중기건fT,이차주중정체관최고진탕빈솔(fmax).문중이MBE생장적SiGe재료위기출,진행료제고SiGe HBT기건fmax적연구,연제출료fmax＝157GHz적SiGe HBT기건.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문