半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
9期
857-860
,共4页
缪建文%宋国华%严小蕾%武恒文%桂旭
繆建文%宋國華%嚴小蕾%武恆文%桂旭
무건문%송국화%엄소뢰%무항문%계욱
发光二极管%结温%热阻%光衰%键合材料%银浆%锡膏
髮光二極管%結溫%熱阻%光衰%鍵閤材料%銀漿%錫膏
발광이겁관%결온%열조%광쇠%건합재료%은장%석고
对采用银浆和250℃、130℃度高、低温锡膏作为芯片键合材料的1 W白光LED结温、热阻和光袁进行了对比研究.研究结果表明,与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比,采用锡膏作为芯片键合材料的1 W白光LED的结温下降了10 ℃以上,热阻也相应下降了约10 K/W;两种键合材料的1 W白光LED初始光通量基本没有差别,在光衰试验中,初期均存在光通量提高现象.在环境温度58℃时,工作1400 h之后,光通量才开始小于初始光通量;在工作2 880 h之后.两种键合材料的1 W白光LED光衰相差6%.
對採用銀漿和250℃、130℃度高、低溫錫膏作為芯片鍵閤材料的1 W白光LED結溫、熱阻和光袁進行瞭對比研究.研究結果錶明,與採用銀漿作為芯片鍵閤材料的LED相比,採用錫膏作為芯片鍵閤材料的1 W白光LED的結溫下降瞭10 ℃以上,熱阻也相應下降瞭約10 K/W;兩種鍵閤材料的1 W白光LED初始光通量基本沒有差彆,在光衰試驗中,初期均存在光通量提高現象.在環境溫度58℃時,工作1400 h之後,光通量纔開始小于初始光通量;在工作2 880 h之後.兩種鍵閤材料的1 W白光LED光衰相差6%.
대채용은장화250℃、130℃도고、저온석고작위심편건합재료적1 W백광LED결온、열조화광원진행료대비연구.연구결과표명,여채용은장작위심편건합재료적LED상비,채용석고작위심편건합재료적1 W백광LED적결온하강료10 ℃이상,열조야상응하강료약10 K/W;량충건합재료적1 W백광LED초시광통량기본몰유차별,재광쇠시험중,초기균존재광통량제고현상.재배경온도58℃시,공작1400 h지후,광통량재개시소우초시광통량;재공작2 880 h지후.량충건합재료적1 W백광LED광쇠상차6%.
