CAJ | 학술논문

为揭示磁控溅射辉光放电等离子体参量对Si薄膜沉积过程的本质影响,采用Langmuir探针于不同的靶电流、靶基距和氢分压条件下对直流辉光放电等离子体进行了诊断,分析了直流辉光放电等离子体参量(离子密度、离子流通量、等离子体电势、电子密度、电子温度)的变化规律,并以此为依据探讨了其对Si靶溅射过程和溅射Si粒子输运过程的影响.结果表明:不同靶电流下,距靶面3cm处等离子体参量中离子密度、离子流通量和电子密度均随靶电流的增大而增大；靶电流为0.5A时,在靶基距从4cm增大至21 cm过程中,离子密度和离子流通量先增大后减小,均在9cm处出现峰值；靶基距恒为12 cm 时,随氢气流量的增大,离子密度和离子流通量均增大(除氢气流量为45 ml/nin(标准状态)时有所下降).上述各参数下电子温度的变化波动性较大,但电子能量均在1～5eV,即高能电子所占比例极小.
위게시자공천사휘광방전등리자체삼량대Si박막침적과정적본질영향,채용Langmuir탐침우불동적파전류、파기거화경분압조건하대직류휘광방전등리자체진행료진단,분석료직류휘광방전등리자체삼량(리자밀도、리자류통량、등리자체전세、전자밀도、전자온도)적변화규률,병이차위의거탐토료기대Si파천사과정화천사Si입자수운과정적영향.결과표명:불동파전류하,거파면3cm처등리자체삼량중리자밀도、리자류통량화전자밀도균수파전류적증대이증대；파전류위0.5A시,재파기거종4cm증대지21 cm과정중,리자밀도화리자류통량선증대후감소,균재9cm처출현봉치；파기거항위12 cm 시,수경기류량적증대,리자밀도화리자류통량균증대(제경기류량위45 ml/nin(표준상태)시유소하강).상술각삼수하전자온도적변화파동성교대,단전자능량균재1～5eV,즉고능전자소점비례겁소.