半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
3期
184-187
,共4页
杨颖琳%胡成%朱伦%许鹏%朱志炜%张卫%吴东平
楊穎琳%鬍成%硃倫%許鵬%硃誌煒%張衛%吳東平
양영림%호성%주륜%허붕%주지위%장위%오동평
异质栅%金属氧化物半导体场效应晶体管%热载流子效应%表面电场%表面势%漏致势垒降低效应
異質柵%金屬氧化物半導體場效應晶體管%熱載流子效應%錶麵電場%錶麵勢%漏緻勢壘降低效應
이질책%금속양화물반도체장효응정체관%열재류자효응%표면전장%표면세%루치세루강저효응
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较.分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应.此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善.
研究瞭22 nm柵長的異質柵MOSFET的特性,利用工藝與器件倣真軟件Silvaco,模擬瞭異質柵MOSFET的閾值電壓、亞閾值特性、溝道錶麵電場及錶麵勢等特性,併與傳統的同質柵MOSFET進行比較.分析結果錶明,由于異質柵MOSFET的柵極由兩種不同功函數的材料組成,因而在兩種材料界麵附近的錶麵溝道中增加瞭一箇電場峰值,相應地漏耑電場比同質柵MOSFET有所降低,所以在提高溝道載流子輸運效率的同時也降低瞭小呎吋器件的熱載流子效應.此外,由于該器件靠近源極的區域對于漏壓的變化具有屏蔽作用,從而有效抑製瞭小呎吋器件的溝道長度調製效應,但是由于其亞閾值特性與同質柵MOSFET相比較差,導緻漏緻勢壘降低效應(DIBL)沒有明顯改善.
연구료22 nm책장적이질책MOSFET적특성,이용공예여기건방진연건Silvaco,모의료이질책MOSFET적역치전압、아역치특성、구도표면전장급표면세등특성,병여전통적동질책MOSFET진행비교.분석결과표명,유우이질책MOSFET적책겁유량충불동공함수적재료조성,인이재량충재료계면부근적표면구도중증가료일개전장봉치,상응지루단전장비동질책MOSFET유소강저,소이재제고구도재류자수운효솔적동시야강저료소척촌기건적열재류자효응.차외,유우해기건고근원겁적구역대우루압적변화구유병폐작용,종이유효억제료소척촌기건적구도장도조제효응,단시유우기아역치특성여동질책MOSFET상비교차,도치루치세루강저효응(DIBL)몰유명현개선.
