材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2003年
4期
432-438
,共7页
无机非金属材料%CNx薄膜%电化学沉积%光电性能
無機非金屬材料%CNx薄膜%電化學沉積%光電性能
무궤비금속재료%CNx박막%전화학침적%광전성능
以单晶硅片(100)和镀Pt硅片为衬底,用电化学沉积方法在阴极制备出CNx薄膜(x接近于1),薄膜的表面平滑,颗粒均匀.热处理后得到了β-C3N4和α-C3N4多晶结构薄膜.热处理温度的提高使薄膜中的C≡N键逐渐减少而消失,氮元素的流失使薄膜中非晶碳的成分增多,但是薄膜中碳氮逐渐以sp3C-N为主.薄膜的能带在1.1～1.8 eV之间,氮含量对能带大小影响较大.热处理使薄膜的电阻率(高于108Ω@cm)变化不大.氮含量影响PL谱中3.0和3.5 eV处发射峰的峰强,不影响峰位.
以單晶硅片(100)和鍍Pt硅片為襯底,用電化學沉積方法在陰極製備齣CNx薄膜(x接近于1),薄膜的錶麵平滑,顆粒均勻.熱處理後得到瞭β-C3N4和α-C3N4多晶結構薄膜.熱處理溫度的提高使薄膜中的C≡N鍵逐漸減少而消失,氮元素的流失使薄膜中非晶碳的成分增多,但是薄膜中碳氮逐漸以sp3C-N為主.薄膜的能帶在1.1～1.8 eV之間,氮含量對能帶大小影響較大.熱處理使薄膜的電阻率(高于108Ω@cm)變化不大.氮含量影響PL譜中3.0和3.5 eV處髮射峰的峰彊,不影響峰位.
이단정규편(100)화도Pt규편위츤저,용전화학침적방법재음겁제비출CNx박막(x접근우1),박막적표면평활,과립균균.열처리후득도료β-C3N4화α-C3N4다정결구박막.열처리온도적제고사박막중적C≡N건축점감소이소실,담원소적류실사박막중비정탄적성분증다,단시박막중탄담축점이sp3C-N위주.박막적능대재1.1～1.8 eV지간,담함량대능대대소영향교대.열처리사박막적전조솔(고우108Ω@cm)변화불대.담함량영향PL보중3.0화3.5 eV처발사봉적봉강,불영향봉위.
