半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
136-139
,共4页
时文华%罗丽萍%赵雷%左玉华%王启明
時文華%囉麗萍%趙雷%左玉華%王啟明
시문화%라려평%조뢰%좌옥화%왕계명
Si%Ge%纳米岛%退火%离子注入
Si%Ge%納米島%退火%離子註入
Si%Ge%납미도%퇴화%리자주입
通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.
通過X射線雙晶衍射、光緻髮光譜等手段,繫統研究瞭Ge/Si(001)多層納米島材料的快速熱退火特性.研究錶明:退火過程中納米島區的Ge/Si原子互擴散作用比浸潤層區彊烈;併且隨著退火時間增加,這種互擴散作用加大,晶體質量下降,影響材料性能.而在800℃退火12s,材料保持瞭較小的Ge/Si原子互擴散水平和較高的晶體質量,併且經硼離子註入後的樣品在這一條件退火後,超過50%的雜質原子可被激活.
통과X사선쌍정연사、광치발광보등수단,계통연구료Ge/Si(001)다층납미도재료적쾌속열퇴화특성.연구표명:퇴화과정중납미도구적Ge/Si원자호확산작용비침윤층구강렬;병차수착퇴화시간증가,저충호확산작용가대,정체질량하강,영향재료성능.이재800℃퇴화12s,재료보지료교소적Ge/Si원자호확산수평화교고적정체질량,병차경붕리자주입후적양품재저일조건퇴화후,초과50%적잡질원자가피격활.
