红外非线性晶体ZnGeP2的生长及品质研究
홍외비선성정체ZnGeP2적생장급품질연구
Investigation of Infrared Nonlinear Crystal Material ZnGeP2
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 3期 507-511 ,共5页

    吴海信%倪友保%耿磊%毛明生%王振友%程干超%杨琳

    오해신%예우보%경뢰%모명생%왕진우%정간초%양림

    ZnGeP2%非线性光学晶体%CO2激光器%倍频 ZnGeP2%非線性光學晶體%CO2激光器%倍頻
    ZnGeP2%비선성광학정체%CO2격광기%배빈
    采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达φ15×70mm3.对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α＝0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频.
    채용고온원소반응법직접합성ZnGeP2다정료,용수식Bridgman법생장출ZnGeP2단정,정체봉모배척촌체φ15×70mm3.대다정료화단정체진행료X사선분말연사(XRD)、저배솔홍외현미경、홍외분광광도계검측;대정체절편진행퇴화처리,사득재2μm흡수계수강도α＝0.10cm-1;가공출일괴5×6×6.5mm3적정체배빈원건,재일태사빈격려CO2격광기상실현료종9.24μm도4.26μm적배빈.
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