四川师范大学学报（自然科学版）
四川師範大學學報（自然科學版）
사천사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
3期
355-359
,共5页
潘洪哲%徐明%丁迎春%沈益斌
潘洪哲%徐明%丁迎春%瀋益斌
반홍철%서명%정영춘%침익빈
氮化硅%电子结构%光学性质
氮化硅%電子結構%光學性質
담화규%전자결구%광학성질
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.
採用基于密度汎函平麵波贗勢方法(PWP)和廣義梯度近似(GGA),對不同壓彊下β-Si3N4的電子結構和光學性質進行瞭計算,較好地解釋瞭已經報道的實驗結果,進一步研究瞭β-Si3N4其它物理參數隨外壓力的變化規律.
채용기우밀도범함평면파안세방법(PWP)화엄의제도근사(GGA),대불동압강하β-Si3N4적전자결구화광학성질진행료계산,교호지해석료이경보도적실험결과,진일보연구료β-Si3N4기타물리삼수수외압력적변화규률.
