光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2009年
5期
1231-1234
,共4页
InAsSb%p-型%截止波长%空穴迁移率%组分分布
InAsSb%p-型%截止波長%空穴遷移率%組分分佈
InAsSb%p-형%절지파장%공혈천이솔%조분분포
为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12 μm的p型-InAsSb 外延层.用傅里叶红外光谱仪、Van der Pauw 法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77 K下测得,载流子浓度为9.18×1016 cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1 120 cm2·Vs-1.
為瞭穫得p-型的長波長InAsSb材料併研究摻雜劑Ge對材料特性的影響,用鎔體外延法生長瞭摻Ge的波長為12 μm的p型-InAsSb 外延層.用傅裏葉紅外光譜儀、Van der Pauw 法和電子探針微分析研究瞭材料的透射光譜、電學性質以及組分的分佈.結果錶明,兩性雜質Ge在鎔體外延生長的InAs0.04Sb0.96材料中起受主雜質作用.噹外延層的組分相同時,材料的截止波長不隨摻Ge濃度的變化而變化,但是隨著外延層中摻Ge量的增加,外延層的透射率下降.摻雜原子Ge在外延層的錶麵及生長方嚮的分佈都是相噹均勻的.77 K下測得,載流子濃度為9.18×1016 cm-3的摻Ge的p型-InAs0.04Sb0.96樣品,其空穴遷移率達到1 120 cm2·Vs-1.
위료획득p-형적장파장InAsSb재료병연구참잡제Ge대재료특성적영향,용용체외연법생장료참Ge적파장위12 μm적p형-InAsSb 외연층.용부리협홍외광보의、Van der Pauw 법화전자탐침미분석연구료재료적투사광보、전학성질이급조분적분포.결과표명,량성잡질Ge재용체외연생장적InAs0.04Sb0.96재료중기수주잡질작용.당외연층적조분상동시,재료적절지파장불수참Ge농도적변화이변화,단시수착외연층중참Ge량적증가,외연층적투사솔하강.참잡원자Ge재외연층적표면급생장방향적분포도시상당균균적.77 K하측득,재류자농도위9.18×1016 cm-3적참Ge적p형-InAs0.04Sb0.96양품,기공혈천이솔체도1 120 cm2·Vs-1.
