科技经济市场
科技經濟市場
과기경제시장
KEJI JINGJI SHICHANG
2010年
4期
8-9
,共2页
IR2181S 驱动芯片%MOSFET%全桥电路%自举电路设计%吸收电路
IR2181S 驅動芯片%MOSFET%全橋電路%自舉電路設計%吸收電路
IR2181S 구동심편%MOSFET%전교전로%자거전로설계%흡수전로
三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关领域,但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考.
三相全橋技術具有應用廣汎,控製方便,電路簡單等特點,因此,廣汎應用于逆變電源,變頻技術,電力電子等相關領域,但其功率MOSFET以及相關的驅動電路的設計直接與電路的可靠性緊密相關,如MOSFET的驅動電路設計不噹,MOSFET很容易損壞,因此本文主要分析和研究瞭成熟驅動控製芯片IR2181S組成的電路,併設計瞭具體的電路,為提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能夠為設計人員在設計產品時作一些參攷.
삼상전교기술구유응용엄범,공제방편,전로간단등특점,인차,엄범응용우역변전원,변빈기술,전력전자등상관영역,단기공솔MOSFET이급상관적구동전로적설계직접여전로적가고성긴밀상관,여MOSFET적구동전로설계불당,MOSFET흔용역손배,인차본문주요분석화연구료성숙구동공제심편IR2181S조성적전로,병설계료구체적전로,위제고MOSFET적가고성작일사연구,이편능구위설계인원재설계산품시작일사삼고.
