太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2011年
1期
54-59
,共6页
刘志平%赵谡玲%徐征%刘金虎%李栋才
劉誌平%趙謖玲%徐徵%劉金虎%李棟纔
류지평%조속령%서정%류금호%리동재
PECVD%氮化硅%镀膜工艺%少子寿命
PECVD%氮化硅%鍍膜工藝%少子壽命
PECVD%담화규%도막공예%소자수명
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECTD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH4/NH3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响.在温度为450℃、NH3/SiH4=8:1、总气体流量为4320scom、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75mm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5ten以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%.
採用等離子體增彊型化學氣相沉積(PECTD)法在晶體硅太暘電池錶麵鍍上一層氮化硅減反射膜,通過數值分析和實驗研究的方法討論瞭壓彊、SiH4/NH3比、總氣體流量及時間等工藝參數對鍍膜速率、摺射率和鍍膜均勻性及鈍化效果的影響.在溫度為450℃、NH3/SiH4=8:1、總氣體流量為4320scom、壓力為170Pa、沉積時間為720s的條件下生長齣平均膜厚為75mm、摺射率為2.05、少子壽命相對較高的氮化硅膜,且應用于單晶整舟為168片的管式PECVD設備,片間膜厚級差在5ten以內,而摺射率級差在0.3以內,少子壽命可提高約30%.
채용등리자체증강형화학기상침적(PECTD)법재정체규태양전지표면도상일층담화규감반사막,통과수치분석화실험연구적방법토론료압강、SiH4/NH3비、총기체류량급시간등공예삼수대도막속솔、절사솔화도막균균성급둔화효과적영향.재온도위450℃、NH3/SiH4=8:1、총기체류량위4320scom、압력위170Pa、침적시간위720s적조건하생장출평균막후위75mm、절사솔위2.05、소자수명상대교고적담화규막,차응용우단정정주위168편적관식PECVD설비,편간막후급차재5ten이내,이절사솔급차재0.3이내,소자수명가제고약30%.
