CAJ | 학술논문

利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡/锂喹啉配合物/铝{ITO(indiumtin oxide)/TPD(N,N'-di-phenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'iphenyl-4,4'diamine)/Alq3[tris-(8-hydroxy-quinolinato)aluminum]/Liq/Al}的电致发光器件.通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响.实验表明Liq厚度大约为0.5 nm左右时器件的性能最佳,电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alq3之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故.Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的.
이용리규람배합물(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)작전자주입층,제비료결구위양화인석/리규람배합물/려{ITO(indiumtin oxide)/TPD(N,N'-di-phenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'iphenyl-4,4'diamine)/Alq3[tris-(8-hydroxy-quinolinato)aluminum]/Liq/Al}적전치발광기건.통과개변전자주입층Liq적후도,고사료Liq후도대기건전치발광효솔급전류밀도-전압관계적영향.실험표명Liq후도대약위0.5 nm좌우시기건적성능최가,전치발광효솔약위몰유Liq기건효솔적5배,이정전류하적공작전압최저,기원인가귀우Liq재금속려전겁여유궤층Alq3지간산생우겁층,사려여유궤층간적계면접근구모접촉,종이사전자주입효솔대폭제고;수착Liq후도적증가,기건적전치발광효솔강저,이정전류하적공작전압승고,여동류형이LiF작주입층적기건상비,저충기건성능수후도영향이변화적추세시유사적,단이Liq작주입층적기건구유교저적후도민감성,저시유우LiF위절연체,이Liq위반도체적연고.Liq작주입층기건적저충대주입층후도적불민감성대비량생산중소용적대척촌기저래설시비상유리적.