半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
5期
1045-1048
,共4页
崔福良%黄林%马德群%洪志良
崔福良%黃林%馬德群%洪誌良
최복량%황림%마덕군%홍지량
CMOS工艺%射频电路%下变频器
CMOS工藝%射頻電路%下變頻器
CMOS공예%사빈전로%하변빈기
利用0.35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2.452GHz,2.45GHz和2MHz.测试表明:在3.3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.
利用0.35μm CMOS工藝實現瞭一種用于低中頻接收機的Gilbert型下變頻器.其中,混頻器的輸齣級採用摺疊級聯輸齣,射頻信號、本振信號和中頻信號的頻率分彆為2.452GHz,2.45GHz和2MHz.測試錶明:在3.3V電源電壓條件下,整箇混頻器電路消耗的電流約為4mA,轉換增益超過6dB,輸入1dB壓縮點約為-11dBm.
이용0.35μm CMOS공예실현료일충용우저중빈접수궤적Gilbert형하변빈기.기중,혼빈기적수출급채용절첩급련수출,사빈신호、본진신호화중빈신호적빈솔분별위2.452GHz,2.45GHz화2MHz.측시표명:재3.3V전원전압조건하,정개혼빈기전로소모적전류약위4mA,전환증익초과6dB,수입1dB압축점약위-11dBm.