微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
6期
584-586,590
,共4页
匡治兵%郭旗%任迪远%李爱武%汪东
劻治兵%郭旂%任迪遠%李愛武%汪東
광치병%곽기%임적원%리애무%왕동
单片机%60Co γ辐照%辐射损伤%退火
單片機%60Co γ輻照%輻射損傷%退火
단편궤%60Co γ복조%복사손상%퇴화
研究了80C31单片机电路在60Coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照后其电离辐照敏感参数在室温和100 ℃高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐射损伤的机理.
研究瞭80C31單片機電路在60Coγ輻照環境中的響應特性及參數變化規律,通過對輻照後其電離輻照敏感參數在室溫和100 ℃高溫條件下隨時間變化關繫的分析,討論瞭電路總劑量輻射損傷的機理.
연구료80C31단편궤전로재60Coγ복조배경중적향응특성급삼수변화규률,통과대복조후기전리복조민감삼수재실온화100 ℃고온조건하수시간변화관계적분석,토론료전로총제량복사손상적궤리.
