微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
6期
284-287
,共4页
姚娉%闫卫平%马灵芝%杜立群%郭吉洪
姚娉%閆衛平%馬靈芝%杜立群%郭吉洪
요빙%염위평%마령지%두립군%곽길홍
各向异性腐蚀%MEMS加工工艺%计算机模拟%OpenGL三维技术
各嚮異性腐蝕%MEMS加工工藝%計算機模擬%OpenGL三維技術
각향이성부식%MEMS가공공예%계산궤모의%OpenGL삼유기술
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型.在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面.
根據單晶硅各嚮異性腐蝕的特點,以晶格內部原子鍵密度為主要因素,溫度、腐蝕液濃度等環境因素為校正因子,建立瞭一箇新穎的硅各嚮異性腐蝕的計算機模擬模型.在VC++開髮環境下利用OpenGL技術,實現瞭硅各嚮異性腐蝕過程的三維微觀動態模擬,為深刻理解硅的各嚮異性腐蝕過程提供瞭直觀的界麵.
근거단정규각향이성부식적특점,이정격내부원자건밀도위주요인소,온도、부식액농도등배경인소위교정인자,건립료일개신영적규각향이성부식적계산궤모의모형.재VC++개발배경하이용OpenGL기술,실현료규각향이성부식과정적삼유미관동태모의,위심각리해규적각향이성부식과정제공료직관적계면.
