微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
7期
336-339
,共4页
张楷亮%宋志棠%封松林%CHEN Bomy
張楷亮%宋誌棠%封鬆林%CHEN Bomy
장해량%송지당%봉송림%CHEN Bomy
超大规模集成电路%化学机械抛光%纳米%抛光液%全局平坦化
超大規模集成電路%化學機械拋光%納米%拋光液%全跼平坦化
초대규모집성전로%화학궤계포광%납미%포광액%전국평탄화
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高.在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望.
IC器件呎吋的納米化,要求高的光刻曝光分辨率,在採用短波長和大數值孔徑曝光繫統提高分辨率的同時導緻瞭焦深變淺,進而對晶片錶麵的平坦化要求越來越高.在比較瞭IC工藝中的四種平坦化技術基礎上,重點綜述瞭唯一可以實現全跼平坦化的化學機械拋光(CMP)方法的髮展、應用及展望.
IC기건척촌적납미화,요구고적광각폭광분변솔,재채용단파장화대수치공경폭광계통제고분변솔적동시도치료초심변천,진이대정편표면적평탄화요구월래월고.재비교료IC공예중적사충평탄화기술기출상,중점종술료유일가이실현전국평탄화적화학궤계포광(CMP)방법적발전、응용급전망.
