Si衬底GaN基LED的结温特性
Si츤저GaN기LED적결온특성
The Junction-temperature Characteristic of GaN Light-emitting Diodes on Si Substrate
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2006年 2期 211-214 ,共4页

    刘卫华%李有群%方文卿%莫春兰%周毛兴%刘和初%熊传兵%江风益

    류위화%리유군%방문경%막춘란%주모흥%류화초%웅전병%강풍익

    Si衬底%GaN%发光二极管%结温 Si襯底%GaN%髮光二極管%結溫
    Si츤저%GaN%발광이겁관%결온
    结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响.首次报道Si衬底GaN基LED的结温特性.利用正向压降法测量Si衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现Si衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为Si有更好的导热性.同时也表明:用Si作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力.
    결온시발광이겁관적중요삼수지일,타대기건적내양자효솔、수출공솔、가고성급LED적기타일사성능유흔대적영향.수차보도Si츤저GaN기LED적결온특성.이용정향압강법측량Si츤저상GaN기LED적결온,통과여람보석츤저상GaN LED적결온비교,발현Si츤저GaN LED유경저적결온,원인귀결위Si유경호적도열성.동시야표명:용Si작GaN LED적츤저재대공솔LED방면구유경대적응용잠력.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문