半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
385-388
,共4页
蒋玉龙%茹国平%屈新萍%李炳宗
蔣玉龍%茹國平%屈新萍%李炳宗
장옥룡%여국평%굴신평%리병종
硅化物%NiSi%非晶化注入%固相反应
硅化物%NiSi%非晶化註入%固相反應
규화물%NiSi%비정화주입%고상반응
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,而且在低温下Ni/Si可以直接反应形成NiSi.实验结果表明这种非晶化未对硅化反应过程中杂质的再分布产生影响,但是剖面透射电镜分析表明,这种非晶化所需能量需要合理优化.
在pn結形成之後藉助非晶化Si離子註入技術可以將結錶麵Si單晶層非晶化.作者研究瞭這種非晶化處理對Ni硅化反應的影響.實驗髮現,非晶化處理可以促進Ni在低溫下與襯底Si的反應,而且在低溫下Ni/Si可以直接反應形成NiSi.實驗結果錶明這種非晶化未對硅化反應過程中雜質的再分佈產生影響,但是剖麵透射電鏡分析錶明,這種非晶化所需能量需要閤理優化.
재pn결형성지후차조비정화Si리자주입기술가이장결표면Si단정층비정화.작자연구료저충비정화처리대Ni규화반응적영향.실험발현,비정화처리가이촉진Ni재저온하여츤저Si적반응,이차재저온하Ni/Si가이직접반응형성NiSi.실험결과표명저충비정화미대규화반응과정중잡질적재분포산생영향,단시부면투사전경분석표명,저충비정화소수능량수요합리우화.
