电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
4期
29-32
,共4页
平坦式离子植入绝缘工艺%存储单元%掩模式只读存储器
平坦式離子植入絕緣工藝%存儲單元%掩模式隻讀存儲器
평탄식리자식입절연공예%존저단원%엄모식지독존저기
文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度.重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现.
文章介紹瞭一種高密度的掩模式隻讀存儲器CMOS集成電路及其工作原理,它所採用的是平坦式離子植入絕緣工藝的存儲單元結構,能使電路在有限的麵積內穫得較高的集成密度.重點討論存儲單元的物理原理和邏輯結構,相應的外圍電路模塊的電路設計與功能實現.
문장개소료일충고밀도적엄모식지독존저기CMOS집성전로급기공작원리,타소채용적시평탄식리자식입절연공예적존저단원결구,능사전로재유한적면적내획득교고적집성밀도.중점토론존저단원적물리원리화라집결구,상응적외위전로모괴적전로설계여공능실현.
