半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
554-558
,共5页
魏珂%刘新宇%和致经%吴德馨
魏珂%劉新宇%和緻經%吳德馨
위가%류신우%화치경%오덕형
AIGaN/GaN%高迁移率晶体管%肖特基特性%击穿电压%场板结构
AIGaN/GaN%高遷移率晶體管%肖特基特性%擊穿電壓%場闆結構
AIGaN/GaN%고천이솔정체관%초특기특성%격천전압%장판결구
研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37霢减小到5.7霢,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.
研製成功具有場闆結構的AIGaN/GaN HEMT器件,對源場闆、柵場闆器件的性能進行瞭分析.場闆的引入減小瞭器件漏電和肖特基漏電,提高瞭肖特基反嚮擊穿電壓.源漏間距4靘的HEMT的擊穿電壓由常規器件的65V提高到100V以上,肖特基反嚮漏電由37霢減小到5.7霢,減小瞭一箇量級.肖特基擊穿電壓由常規結構的78V提高到100V以上.另外,還初步討論瞭高頻特性.
연제성공구유장판결구적AIGaN/GaN HEMT기건,대원장판、책장판기건적성능진행료분석.장판적인입감소료기건루전화초특기루전,제고료초특기반향격천전압.원루간거4정적HEMT적격천전압유상규기건적65V제고도100V이상,초특기반향루전유37맥감소도5.7맥,감소료일개량급.초특기격천전압유상규결구적78V제고도100V이상.령외,환초보토론료고빈특성.
