无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2011年
5期
828-834
,共7页
马兴泰%辛宝平%吴莹%陈岗%陈实%吴锋
馬興泰%辛寶平%吳瑩%陳崗%陳實%吳鋒
마흥태%신보평%오형%진강%진실%오봉
生物还原%生物合成%纳米薄膜%硫化镉
生物還原%生物閤成%納米薄膜%硫化鎘
생물환원%생물합성%납미박막%류화력
本文应用生物还原-化学沉淀耦合反应(CRBRCP-EDTA)制备出硫化镉纳米薄膜,并借助XRD和SEM对合成材料的物相、结构、形貌进行了表征.研究表明,以铝片为基底时CdS难以沉积,CdS纳米薄膜不能形成;以导电玻璃和单晶硅片为基底时CdS纳米薄膜方可生成.导电玻璃和单晶硅片薄膜都是双层结构,导电玻璃薄膜下层厚度大约40～50 nm,上层厚度大约450-500 nm.整体厚度大约500～550 nm;硅片薄膜的上下两层厚度基本相等,均为300 nm左右,而整体厚度达到600～650 nm.Cd2+浓度增加和分散剂PAM加入显著改善了导电玻璃薄膜质量,膜的致密性、均匀性和光催化活性都有所提高.
本文應用生物還原-化學沉澱耦閤反應(CRBRCP-EDTA)製備齣硫化鎘納米薄膜,併藉助XRD和SEM對閤成材料的物相、結構、形貌進行瞭錶徵.研究錶明,以鋁片為基底時CdS難以沉積,CdS納米薄膜不能形成;以導電玻璃和單晶硅片為基底時CdS納米薄膜方可生成.導電玻璃和單晶硅片薄膜都是雙層結構,導電玻璃薄膜下層厚度大約40～50 nm,上層厚度大約450-500 nm.整體厚度大約500～550 nm;硅片薄膜的上下兩層厚度基本相等,均為300 nm左右,而整體厚度達到600～650 nm.Cd2+濃度增加和分散劑PAM加入顯著改善瞭導電玻璃薄膜質量,膜的緻密性、均勻性和光催化活性都有所提高.
본문응용생물환원-화학침정우합반응(CRBRCP-EDTA)제비출류화력납미박막,병차조XRD화SEM대합성재료적물상、결구、형모진행료표정.연구표명,이려편위기저시CdS난이침적,CdS납미박막불능형성;이도전파리화단정규편위기저시CdS납미박막방가생성.도전파리화단정규편박막도시쌍층결구,도전파리박막하층후도대약40～50 nm,상층후도대약450-500 nm.정체후도대약500～550 nm;규편박막적상하량층후도기본상등,균위300 nm좌우,이정체후도체도600～650 nm.Cd2+농도증가화분산제PAM가입현저개선료도전파리박막질량,막적치밀성、균균성화광최화활성도유소제고.
