PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
PZT철전박막적반응리자각식연구
Research on Reactive Ion Etching of PZT Ferroelectric Thin Film
  • 万方数据
    压电与声光 압전여성광
    PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
    2011年 3期 464-466,471 ,共4页

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    介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法.利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响.实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6:Ar为20:5)时刻蚀效果最优.利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流.
    개소료일충각식효과량호적PZT철전박막반응리자각식방법.이용심반응리자각식설비연구료반응리자각식중각식기분、각식공솔급각식기체류량등인소대PZT박막각식효과적영향.실험결과표명,각식기체채용SF6、각식공솔위250 W、SF6/Ar총류량위25 cm3/min(기중SF6:Ar위20:5)시각식효과최우.이용우화후적공예조건제작출가용우철전존저기적철전전용병측시기전학특성,득도료교이상적전체회선화루전류.
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