功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
4期
455-458
,共4页
霍尔效应%磁传感器%不等位电势
霍爾效應%磁傳感器%不等位電勢
곽이효응%자전감기%불등위전세
测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内.
測試瞭 MESFET工藝條件下製作的霍爾片的基本性能.對設計齣的 GaAs集成霍爾元件進 行瞭不等位電勢的測試,採用霍爾元件併聯和自鏇電流的方法對 GaAs方形霍爾元件的不等位電 勢進行瞭靜態和動態調製消除.實驗結果錶明 GaAs霍爾元件的不等位電勢引起的偏差可以控製 在可以忽略的範圍內.
측시료 MESFET공예조건하제작적곽이편적기본성능.대설계출적 GaAs집성곽이원건진 행료불등위전세적측시,채용곽이원건병련화자선전류적방법대 GaAs방형곽이원건적불등위전 세진행료정태화동태조제소제.실험결과표명 GaAs곽이원건적불등위전세인기적편차가이공제 재가이홀략적범위내.
