强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2005年
7期
1008-1012
,共5页
赵建君%宋春荣%张灵振%牛燕雄
趙建君%宋春榮%張靈振%牛燕雄
조건군%송춘영%장령진%우연웅
热损伤%InSb(PV)型探测器%高斯光束%损伤阈值
熱損傷%InSb(PV)型探測器%高斯光束%損傷閾值
열손상%InSb(PV)형탐측기%고사광속%손상역치
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合.
在建立高斯型連續激光輻照InSb(PV)型探測器物理模型的基礎上,採用近似解析解的形式計算瞭圓柱形InSb靶闆的2維溫度場.通過數值分析得齣瞭在激光輻照時,InSb(PV)型探測器的溫升與時間的關繫,併計算齣相應的損傷閾值.研究錶明:在彊激光連續輻照下,半導體材料InSb會髮生鎔融損傷,且最早髮生于迎光麵的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破壞所需要的時間越短;對于一定厚度膠層的InSb(PV)型探測器,隻有彊度大于一定閾值的連續激光輻照纔可能髮生鎔融損傷,越薄的膠層對應的損傷閾值越大.為瞭增加InSb(PV)型探測器抗激光輻照能力,應該減小膠層厚度.採用該理論計算得到不同功率下的InSb鎔融時間為1.57 s和4.54 s,與實驗得到的2 s和 4～5 s基本吻閤.
재건립고사형련속격광복조InSb(PV)형탐측기물리모형적기출상,채용근사해석해적형식계산료원주형InSb파판적2유온도장.통과수치분석득출료재격광복조시,InSb(PV)형탐측기적온승여시간적관계,병계산출상응적손상역치.연구표명:재강격광련속복조하,반도체재료InSb회발생용융손상,차최조발생우영광면적광반중심,격광적공솔밀도월고,조성파배소수요적시간월단;대우일정후도효층적InSb(PV)형탐측기,지유강도대우일정역치적련속격광복조재가능발생용융손상,월박적효층대응적손상역치월대.위료증가InSb(PV)형탐측기항격광복조능력,응해감소효층후도.채용해이론계산득도불동공솔하적InSb용융시간위1.57 s화4.54 s,여실험득도적2 s화 4～5 s기본문합.
