半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
406-408
,共3页
何政%李雪%亢勇%方家熊
何政%李雪%亢勇%方傢熊
하정%리설%항용%방가웅
SiO2钝化膜%i-GaN%肖特基探测器
SiO2鈍化膜%i-GaN%肖特基探測器
SiO2둔화막%i-GaN%초특기탐측기
在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜;并对这些器件的性能进行了表征.通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较,结果表明:SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流,同时并不影响器件的正向开启电压;在光波长范围为300～365 nm,探测器的响应率显著地提高.产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故.
在採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的非故意摻雜的i-GaN材料上製備瞭平麵結構肖特基探測器;利用磁控濺射在探測器的兩箇電極隔離區域生長SiO2鈍化膜;併對這些器件的性能進行瞭錶徵.通過與沒有SiO2鈍化膜的肖特基探測器性能比較,結果錶明:SiO2鈍化膜能顯著地降低器件的反嚮漏電流,同時併不影響器件的正嚮開啟電壓;在光波長範圍為300～365 nm,探測器的響應率顯著地提高.產生這些變化可能是SiO2鈍化膜減少瞭肖特基探測器電極隔離區域錶麵缺陷的緣故.
재채용금속유궤화학기상침적(MOCVD)생장적비고의참잡적i-GaN재료상제비료평면결구초특기탐측기;이용자공천사재탐측기적량개전겁격리구역생장SiO2둔화막;병대저사기건적성능진행료표정.통과여몰유SiO2둔화막적초특기탐측기성능비교,결과표명:SiO2둔화막능현저지강저기건적반향루전류,동시병불영향기건적정향개계전압;재광파장범위위300～365 nm,탐측기적향응솔현저지제고.산생저사변화가능시SiO2둔화막감소료초특기탐측기전겁격리구역표면결함적연고.
