半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
4期
549-552
,共4页
GaAs/AlAs超晶格%磁场下纵向输运%隧穿电流
GaAs/AlAs超晶格%磁場下縱嚮輸運%隧穿電流
GaAs/AlAs초정격%자장하종향수운%수천전류
在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.
在n-型摻雜弱耦閤GaAs/AlAs超晶格中,沿著垂直于超晶格平麵方嚮加一箇靜態磁場,研究電子的隧穿過程.隨著磁場的增加,相鄰量子阱基態間的隧穿電流增加.這是由于磁場導緻電子的隧穿機製髮生瞭變化,即由低磁場下電子的非共振隧穿或跳躍電導嚮高磁場下電子的共振隧穿的轉變.
재n-형참잡약우합GaAs/AlAs초정격중,연착수직우초정격평면방향가일개정태자장,연구전자적수천과정.수착자장적증가,상린양자정기태간적수천전류증가.저시유우자장도치전자적수천궤제발생료변화,즉유저자장하전자적비공진수천혹도약전도향고자장하전자적공진수천적전변.