物理学报
物理學報
물이학보
2008年
4期
2450-2455
,共6页
李若凡%杨瑞霞%武一宾%张志国%许娜颖%马永强
李若凡%楊瑞霞%武一賓%張誌國%許娜穎%馬永彊
리약범%양서하%무일빈%장지국%허나영%마영강
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管%Poisson-Schrodinger方程%逆压电极化模型%电流崩塌
AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管%Poisson-Schrodinger方程%逆壓電極化模型%電流崩塌
AlGaN/GaN고전자천이솔정체관%Poisson-Schrodinger방정%역압전겁화모형%전류붕탑
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时.不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013 cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因.并讨论了抑制电流崩塌的办法.
通過自洽求解一維Poisson-Schrodinger方程,模擬瞭AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管在工作時等效外電場對AlGaN/GaN異質結溝道處二維電子氣(2DEG)濃度的影響.分析瞭逆壓電極化效應的作用,從正-逆壓電極化現象齣髮,提齣瞭逆壓電極化模型.計算結果顯示:逆壓電極化明顯影響2DEG性質,噹Al組分x=0.3,AlGaN層厚度為20nm時.不攷慮逆壓電極化,2DEG濃度為1.53×1013cm-2;噹等效外電壓分彆為10和15 V時,2DEG濃度降低至1.04×1013 cm-2和0.789×1013cm-2.用該模型解釋瞭2DEG退化及電流崩塌現象產生的原因.併討論瞭抑製電流崩塌的辦法.
통과자흡구해일유Poisson-Schrodinger방정,모의료AlGaN/GaN고전자천이솔정체관재공작시등효외전장대AlGaN/GaN이질결구도처이유전자기(2DEG)농도적영향.분석료역압전겁화효응적작용,종정-역압전겁화현상출발,제출료역압전겁화모형.계산결과현시:역압전겁화명현영향2DEG성질,당Al조분x=0.3,AlGaN층후도위20nm시.불고필역압전겁화,2DEG농도위1.53×1013cm-2;당등효외전압분별위10화15 V시,2DEG농도강저지1.04×1013 cm-2화0.789×1013cm-2.용해모형해석료2DEG퇴화급전류붕탑현상산생적원인.병토론료억제전류붕탑적판법.
