半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
3期
357-360,364
,共5页
SnO2:Sb薄膜%喷雾热解法%外延生长%光电特性%热处理
SnO2:Sb薄膜%噴霧熱解法%外延生長%光電特性%熱處理
SnO2:Sb박막%분무열해법%외연생장%광전특성%열처리
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜.用X光电子能谱分析仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征,且对其结构、电学和光学特性作了研究.实验结果表明:薄膜仍为金红石型结构,在Sb的掺杂量为(1.0～1.5)wt%(质量百分比)和基片温度为500℃时,薄膜方阻为0.8～3.5Ω/□,可见光透过率达80%,红外光反射率达到80%.样品在O2,N2中进行热处理,其电导率呈有规律的变化趋势,热处理温度为550℃时,两种样品的电导率变化曲线上同时出现拐点.
以SnCl4·5H2O和SbCl3為原料,採用噴霧熱解法在玻璃基片上製備瞭摻銻二氧化錫(SnO2∶Sb)透明導電薄膜.用X光電子能譜分析儀(XPS)、X射線衍射儀(XRD)和紫外-可見光吸收譜儀分彆對樣品進行瞭錶徵,且對其結構、電學和光學特性作瞭研究.實驗結果錶明:薄膜仍為金紅石型結構,在Sb的摻雜量為(1.0～1.5)wt%(質量百分比)和基片溫度為500℃時,薄膜方阻為0.8～3.5Ω/□,可見光透過率達80%,紅外光反射率達到80%.樣品在O2,N2中進行熱處理,其電導率呈有規律的變化趨勢,熱處理溫度為550℃時,兩種樣品的電導率變化麯線上同時齣現枴點.
이SnCl4·5H2O화SbCl3위원료,채용분무열해법재파리기편상제비료참제이양화석(SnO2∶Sb)투명도전박막.용X광전자능보분석의(XPS)、X사선연사의(XRD)화자외-가견광흡수보의분별대양품진행료표정,차대기결구、전학화광학특성작료연구.실험결과표명:박막잉위금홍석형결구,재Sb적참잡량위(1.0～1.5)wt%(질량백분비)화기편온도위500℃시,박막방조위0.8～3.5Ω/□,가견광투과솔체80%,홍외광반사솔체도80%.양품재O2,N2중진행열처리,기전도솔정유규률적변화추세,열처리온도위550℃시,량충양품적전도솔변화곡선상동시출현괴점.
