兵工学报
兵工學報
병공학보
ACTA ARMAMENTARII
2010年
8期
1063-1066
,共4页
向嵘%王新%姜德龙%李野%田景全
嚮嶸%王新%薑德龍%李野%田景全
향영%왕신%강덕룡%리야%전경전
半导体技术%ZnO薄膜%Al2O3缓冲层%X射线衍射%发光光谱
半導體技術%ZnO薄膜%Al2O3緩遲層%X射線衍射%髮光光譜
반도체기술%ZnO박막%Al2O3완충층%X사선연사%발광광보
高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景.本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同氧气和氩气比例下制备了高质量的ZnO薄膜.研究了引入Al2O3缓冲层后,对ZnO薄膜结构和光学特性的影响.发现对于不同氧气和氩气比例下生长的ZnO薄膜样品,其(002)方向的X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中紫外发光与可见发光峰值强度比明显增强.表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,从而为在Si衬底上制备高质量ZnO薄膜提供了参考.
高質量的ZnO薄膜通常生長在藍寶石等晶格匹配好的襯底上,在晶格失配較大的Si襯底上很難得到高質量的ZnO薄膜,而在Si襯底上製備高質量的ZnO薄膜更具有廣汎應用前景.本文採用反應磁控濺射的方法,在Si襯底上,通過引入Al2O3緩遲層,在不同氧氣和氬氣比例下製備瞭高質量的ZnO薄膜.研究瞭引入Al2O3緩遲層後,對ZnO薄膜結構和光學特性的影響.髮現對于不同氧氣和氬氣比例下生長的ZnO薄膜樣品,其(002)方嚮的X射線衍射峰的半峰寬(FWHM)明顯減小,光緻髮光譜中紫外髮光與可見髮光峰值彊度比明顯增彊.錶明引入Al2O3緩遲層後,ZnO薄膜的結構和光學特性得到瞭很大改善,從而為在Si襯底上製備高質量ZnO薄膜提供瞭參攷.
고질량적ZnO박막통상생장재람보석등정격필배호적츤저상,재정격실배교대적Si츤저상흔난득도고질량적ZnO박막,이재Si츤저상제비고질량적ZnO박막경구유엄범응용전경.본문채용반응자공천사적방법,재Si츤저상,통과인입Al2O3완충층,재불동양기화아기비례하제비료고질량적ZnO박막.연구료인입Al2O3완충층후,대ZnO박막결구화광학특성적영향.발현대우불동양기화아기비례하생장적ZnO박막양품,기(002)방향적X사선연사봉적반봉관(FWHM)명현감소,광치발광보중자외발광여가견발광봉치강도비명현증강.표명인입Al2O3완충층후,ZnO박막적결구화광학특성득도료흔대개선,종이위재Si츤저상제비고질량ZnO박막제공료삼고.
