四川兵工学报
四川兵工學報
사천병공학보
SICHUAN ORDNANCE JOURNAL
2010年
11期
137-139
,共3页
AlGaN%pn%光电探测器%响应时间
AlGaN%pn%光電探測器%響應時間
AlGaN%pn%광전탐측기%향응시간
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的AlGaN薄膜材料,并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件;利用KrF激光器的248 rum波长的光作为激发光源,测试了器件在3V偏压下的响应时间,最小达到了0.32 ms,分析比较了正人射和背人射2种结构的响应时间.
利用MOCVD方法在藍寶石襯底上製備瞭高質量的AlGaN薄膜材料,併用傳統的紫外光刻技術和濕度刻蝕方法將生長齣來的材料製備成深紫外光電探測器件;利用KrF激光器的248 rum波長的光作為激髮光源,測試瞭器件在3V偏壓下的響應時間,最小達到瞭0.32 ms,分析比較瞭正人射和揹人射2種結構的響應時間.
이용MOCVD방법재람보석츤저상제비료고질량적AlGaN박막재료,병용전통적자외광각기술화습도각식방법장생장출래적재료제비성심자외광전탐측기건;이용KrF격광기적248 rum파장적광작위격발광원,측시료기건재3V편압하적향응시간,최소체도료0.32 ms,분석비교료정인사화배인사2충결구적향응시간.
