人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
1期
251-257
,共7页
CdSe@SiO2%纳米粒子%硅烷偶联剂%直接合成
CdSe@SiO2%納米粒子%硅烷偶聯劑%直接閤成
CdSe@SiO2%납미입자%규완우련제%직접합성
以3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPS)为修饰剂,直接法制备得到闪锌矿结构的CdSe@SiO2核-壳型量子点,该方法简化了制备硅烷化核-壳型量子点的流程,缩短了制备的时间.用荧光分光光度计,透射电子显微镜,X射线粉末衍射仪等分析测试方法对得到的核-壳型核-壳型量子点的性能进行表征.结果表明:n(Cd2+):n(SeSO2-3)和反应体系Ph值,对纳米晶的光学性质具有显著影响.在最佳合成条件下得到的CdTe@SiO2纳米粒子的平均粒径约为20nm,其大小均匀.与CdSe纳米粒子相比,CdSe@SiO2核-壳型量子点光化学性能较稳定,常温下可以放置半年以上.SiO2包覆的CdSe纳米粒子有效地提高了核-壳型量子点的稳定性,大大增强了其抗光漂白性能.
以3-巰基丙基三甲氧基硅烷(MPS)為脩飾劑,直接法製備得到閃鋅礦結構的CdSe@SiO2覈-殼型量子點,該方法簡化瞭製備硅烷化覈-殼型量子點的流程,縮短瞭製備的時間.用熒光分光光度計,透射電子顯微鏡,X射線粉末衍射儀等分析測試方法對得到的覈-殼型覈-殼型量子點的性能進行錶徵.結果錶明:n(Cd2+):n(SeSO2-3)和反應體繫Ph值,對納米晶的光學性質具有顯著影響.在最佳閤成條件下得到的CdTe@SiO2納米粒子的平均粒徑約為20nm,其大小均勻.與CdSe納米粒子相比,CdSe@SiO2覈-殼型量子點光化學性能較穩定,常溫下可以放置半年以上.SiO2包覆的CdSe納米粒子有效地提高瞭覈-殼型量子點的穩定性,大大增彊瞭其抗光漂白性能.
이3-구기병기삼갑양기규완(MPS)위수식제,직접법제비득도섬자광결구적CdSe@SiO2핵-각형양자점,해방법간화료제비규완화핵-각형양자점적류정,축단료제비적시간.용형광분광광도계,투사전자현미경,X사선분말연사의등분석측시방법대득도적핵-각형핵-각형양자점적성능진행표정.결과표명:n(Cd2+):n(SeSO2-3)화반응체계Ph치,대납미정적광학성질구유현저영향.재최가합성조건하득도적CdTe@SiO2납미입자적평균립경약위20nm,기대소균균.여CdSe납미입자상비,CdSe@SiO2핵-각형양자점광화학성능교은정,상온하가이방치반년이상.SiO2포복적CdSe납미입자유효지제고료핵-각형양자점적은정성,대대증강료기항광표백성능.
