微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
11期
689-696
,共8页
季小明%韩伟华%张严波%陈燕坤%杨富华
季小明%韓偉華%張嚴波%陳燕坤%楊富華
계소명%한위화%장엄파%진연곤%양부화
场效应晶体管%多栅结构%应变%硅纳米线%围栅
場效應晶體管%多柵結構%應變%硅納米線%圍柵
장효응정체관%다책결구%응변%규납미선%위책
介绍了在进入22 nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构.首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率；然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率；最后介绍了悬浮硅纳米线通过热氧化诱导形成应变沟道的方法,并对应力来源进行了分析.纳米结构CMOS晶体管由平面沟道结构向立体沟道结构转变,将成为器件未来主流的发展方向.
介紹瞭在進入22 nm技術節點後MOSFET器件的兩箇髮展方嚮,即多柵結構和應變硅納米線結構.首先通過分析特徵長度與有效柵極數量的關繫,錶明多柵結構器件可以有效增彊柵極對溝道的控製,抑製短溝道效應,接近理想的亞閾值斜率；然後分析瞭應變對能帶結構的影響,從理論上論述瞭應變溝道可以顯著提高載流子遷移率；最後介紹瞭懸浮硅納米線通過熱氧化誘導形成應變溝道的方法,併對應力來源進行瞭分析.納米結構CMOS晶體管由平麵溝道結構嚮立體溝道結構轉變,將成為器件未來主流的髮展方嚮.
개소료재진입22 nm기술절점후MOSFET기건적량개발전방향,즉다책결구화응변규납미선결구.수선통과분석특정장도여유효책겁수량적관계,표명다책결구기건가이유효증강책겁대구도적공제,억제단구도효응,접근이상적아역치사솔；연후분석료응변대능대결구적영향,종이론상논술료응변구도가이현저제고재류자천이솔；최후개소료현부규납미선통과열양화유도형성응변구도적방법,병대응력래원진행료분석.납미결구CMOS정체관유평면구도결구향입체구도결구전변,장성위기건미래주류적발전방향.
