空气动力学学报
空氣動力學學報
공기동역학학보
ACTA AERODYNAMICA SINICA
2012年
1期
34-38
,共5页
国义军%桂业伟%童福林%代光月%曾磊
國義軍%桂業偉%童福林%代光月%曾磊
국의군%계업위%동복림%대광월%증뢰
C/SiC%烧蚀%氧化膜%计算模型
C/SiC%燒蝕%氧化膜%計算模型
C/SiC%소식%양화막%계산모형
研究了C/SiC复合材料氧化烧蚀机理,发现它们与传统的硅基和碳基材料烧蚀有很大差别.C/SiC的烧蚀取决于氧的分压、表面温度和材料晶态结构及成份,可能出现活性氧化和惰性氧化两种破坏机制.研究了氧化膜的形成和破坏条件,以及氧化膜中氧气的扩散机制,建立了适用于C、Si、SiC和C/SiC(C和SiC可有不同混和比)四种材料烧蚀计算的通用物理数学模型.
研究瞭C/SiC複閤材料氧化燒蝕機理,髮現它們與傳統的硅基和碳基材料燒蝕有很大差彆.C/SiC的燒蝕取決于氧的分壓、錶麵溫度和材料晶態結構及成份,可能齣現活性氧化和惰性氧化兩種破壞機製.研究瞭氧化膜的形成和破壞條件,以及氧化膜中氧氣的擴散機製,建立瞭適用于C、Si、SiC和C/SiC(C和SiC可有不同混和比)四種材料燒蝕計算的通用物理數學模型.
연구료C/SiC복합재료양화소식궤리,발현타문여전통적규기화탄기재료소식유흔대차별.C/SiC적소식취결우양적분압、표면온도화재료정태결구급성빈,가능출현활성양화화타성양화량충파배궤제.연구료양화막적형성화파배조건,이급양화막중양기적확산궤제,건립료괄용우C、Si、SiC화C/SiC(C화SiC가유불동혼화비)사충재료소식계산적통용물리수학모형.
