半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
284-287,298
,共5页
刘波%袁凤坡%尹甲运%盛百城%房玉龙%冯志红
劉波%袁鳳坡%尹甲運%盛百城%房玉龍%馮誌紅
류파%원봉파%윤갑운%성백성%방옥룡%풍지홍
金属有机气相沉积%蓝宝石衬底%氮化铝%铝镓氮%日盲紫外探测器
金屬有機氣相沉積%藍寶石襯底%氮化鋁%鋁鎵氮%日盲紫外探測器
금속유궤기상침적%람보석츤저%담화려%려가담%일맹자외탐측기
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料.通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料.AlN材料X射线双晶衍射ε(002)半宽为74 arcsec,透射光谱测试带边峰位于205 nm,带边陡峭；Al组分为45％的AlGaN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为223 arcsec,透射光谱测试带边峰位于272 nm,带边陡峭.采用此外延工艺方法生长了AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料并进行了器件工艺流片,研制出AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器,响应峰值波长为262 nm,在零偏压下的峰值响应度达到0.117 A/W.
採用金屬有機氣相外延(MOCVD)方法在(0001)麵藍寶石襯底上生長瞭AlN和高鋁組分AlGaN材料.通過優化AlN和AlGaN材料的生長溫度、生長壓力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物質的量比(nⅤ/Ⅲ)等工藝條件,得到瞭高質量的AlN和高鋁組分AlGaN材料.AlN材料X射線雙晶衍射ε(002)半寬為74 arcsec,透射光譜測試帶邊峰位于205 nm,帶邊陡峭；Al組分為45％的AlGaN材料X射線雙晶衍射ω(002)半寬為223 arcsec,透射光譜測試帶邊峰位于272 nm,帶邊陡峭.採用此外延工藝方法生長瞭AlGaN基p-i-n型日盲紫外探測器材料併進行瞭器件工藝流片,研製齣AlGaN基p-i-n型日盲紫外探測器,響應峰值波長為262 nm,在零偏壓下的峰值響應度達到0.117 A/W.
채용금속유궤기상외연(MOCVD)방법재(0001)면람보석츤저상생장료AlN화고려조분AlGaN재료.통과우화AlN화AlGaN재료적생장온도、생장압력화Ⅴ족원소/Ⅲ족원소물질적량비(nⅤ/Ⅲ)등공예조건,득도료고질량적AlN화고려조분AlGaN재료.AlN재료X사선쌍정연사ε(002)반관위74 arcsec,투사광보측시대변봉위우205 nm,대변두초；Al조분위45％적AlGaN재료X사선쌍정연사ω(002)반관위223 arcsec,투사광보측시대변봉위우272 nm,대변두초.채용차외연공예방법생장료AlGaN기p-i-n형일맹자외탐측기재료병진행료기건공예류편,연제출AlGaN기p-i-n형일맹자외탐측기,향응봉치파장위262 nm,재령편압하적봉치향응도체도0.117 A/W.
